Ing taun 1976, Zumsteg et al. nggunakake metode hidrotermal kanggo tuwuh rubidium titanyl fosfat (RbTiOPO₄, diarani minangka RTP) kristal. Kristal RTP minangka sistem ortorombik, mmKelompok 2 titik, P_na21 grup spasi, nduweni kaluwihan lengkap koefisien elektro-optik gedhe, ambang karusakan cahya dhuwur, konduktivitas kurang, sawetara transmisi sudhut, non-deliquescent, mundhut selipan kurang, lan bisa digunakake kanggo karya frekuensi Ambalan dhuwur (nganti 100). kHz), lsp. Lan ora bakal ana tandha abu-abu ing iradiasi laser sing kuwat. Ing taun anyar, wis dadi bahan populer kanggo nyiapake elektro-optik Q-switch, utamané cocok kanggo sistem laser tingkat pengulangan dhuwur..

Bahan mentah RTP rusak nalika dilebur, lan ora bisa ditanam kanthi cara narik leleh konvensional. Biasane, fluks digunakake kanggo nyuda titik leleh. Amarga tambahan saka jumlah gedhe saka flux ing bahan baku, iku’angel banget kanggo tuwuh RTP kanthi ukuran gedhe lan berkualitas tinggi. Ing taun 1990 Wang Jiyang lan liya-liyane nggunakake metode fluks swalayan kanggo entuk kristal tunggal RTP sing ora ana warna, lengkap lan seragam saka 15 mm×44 mm×34 mm, lan nindakake studi sistematis babagan kinerja. Ing taun 1992 Oseledchiket al. nggunakake metode fluks swalayan sing padha kanggo tuwuh kristal RTP kanthi ukuran 30 mm×40 mm×60 mm lan batesan karusakan laser dhuwur. Ing 2002 Kannan et al. nggunakake jumlah cilik saka MoO₃ (0,002 mol%) minangka fluks ing metode top-seed kanggo tuwuh kristal RTP berkualitas tinggi kanthi ukuran udakara 20 mm. Ing taun 2010 Roth lan Tseitlin nggunakake [100] lan [010] wiji arah, kanggo tuwuh RTP ukuran gedhe nggunakake metode top-seed.

Dibandhingake karo kristal KTP sing cara nyiapake lan sifat elektro-optik padha, resistivitas kristal RTP luwih dhuwur tinimbang 2 nganti 3 ordo (10).⁸ Ω·cm), supaya kristal RTP bisa digunakake minangka aplikasi EO Q-switching tanpa masalah karusakan elektrolitik. Ing 2008 Shaldinet al. nggunakake metode top-seed kanggo tuwuh kristal RTP domain siji kanthi resistivitas udakara 0,5×10¹² Ω·cm, kang banget ono gunane kanggo EO Q-switch karo aperture cetha luwih gedhe. Ing 2015 Zhou Haitaoet al. nyatakake yen kristal RTP kanthi dawa sumbu luwih saka 20 mm ditanam kanthi metode hidrotermal, lan resistivitas yaiku 10¹¹~10¹² Ω·cm. Amarga kristal RTP minangka kristal biaxial, beda karo kristal LN lan kristal DKDP nalika digunakake minangka saklar EO Q-. Siji RTP ing pasangan kudu diputer 90°ing arah cahya kanggo ngimbangi birefringence alam. Desain iki ora mung mbutuhake keseragaman optik dhuwur saka kristal dhewe, nanging uga mbutuhake dawa loro kristal dadi cedhak sabisa, kanggo ndarbeni rasio punah luwih saka Q-switch.

Minangka apik banget EO Q-ngalihing materi karo frekuensi dhuwur-ambalan, kristal RTPs tundhuk watesan ukuran kang ora bisa kanggo gedhe aperture cetha (aperture maksimum produk komersial mung 6 mm). Mulane, preparation saka kristal RTP karo ukuran gedhe lan kualitas dhuwur uga ing cocog teknik saka pasangan RTP isih perlu jumlah gedhe saka karya riset.